Güney Kore merkezli teknoloji devi Samsung, San Jose’de düzenlenen Tech Day konferansında 1.000 katmanlı V-NAND ve GDDR7 planlarını paylaştı. Samsung Tech Day, 2017’den bu yana her yıl düzenleniyor. Bu yılki konferans ise, pandemi sonrasında ilk kez izleyiciler ile yüz yüze gerçekleştirildi. Yeni nesil V-NAND ve GDDR7 bellekler yolda
Düzenlenen etkinlikte ilk olarak DRAM alanında açıklamalarda bulunan Samsung, beşinci nesil 10 nm sınıfı üretimin (1b tekniği) 2023 yılına kadar başlayacağını duyurdu. Ayrıca halihazırda kullanılan 14nm sınıfı düğümlerde rakiplerinin önünde yer alan şirket, yeni desenler, malzemeler ve High-K kapıları içeren mimari tasarımlar kullanarak ‘10nm altı DRAM üretiminde keşif araştırmalarının devam ettiğini’ açıkladı.
NAND konusuna gelindiğinde ise Samsung, 9. ve 10. Nesil V-NAND için çalışmalarını sürdürüyor. Günümüzde 7. Nesil 176 katmanlı V-NAND sevkiyatlarına başlayan şirket, 8. Nesil 230 katmanlı V-NAND yongalarını yıl sonuna kadar piyasaya sürmeyi planlıyor. Buna ek olarak teknoloji devi, daha da önemli artışlar ile 2030 yılına kadar 1.000 katmanlı bir V-NAND tasarımına ulaşmayı bekliyor.
Etkinliğin devamında Samsung, geleceğin ekran kartlarına güç verecek GDDR7 teknolojisine de değindi. Yeni standart, halihazırda kullanılan 18 Gb/sn GDDR6 belleklere kıyasla 36 Gb/sn kadar artış sunacak. Böylece 384 bitlik bir veri yoluna sahip ekran kartında yaklaşık 1.728 TB/sn bant genişliği elde edilebilecek.